[menuju akhir]
SUBCHAPTER 3.9 : TRANSISTOR SPECIFICATION SHEET




1. Tujuan [kembali]

  • Untuk mengetahui dan memahami apa itu data spesifikasi
  • Untuk mengetahui dan memahami apa saja yang terdapat pada data spesifikasi transistor
  • Dapat membuat rangkaian sederhana dengan menggunakan transistor

2. Alat dan Bahan [kembali]

A. Alat

  • Power Supply 5V



 

Power Supply berfungsi sebagai sumber energi listrik untuk menyuplai tegangan atau arus listrik pada rangkaian sebesar 5 V.

B. Bahan

  • Resistor 10 K

 


 

Specifications

 

Resistance (Ohms)

10K

Power (Watts)

0.25W, 1/4W

Tolerance

±5%

Packaging

Bulk

Composition

Carbon Film

Temperature Coefficient

350ppm/°C

Lead Free Status

Lead Free

RoHS Status

RoHS Compliant

Resistor 330 ohmr
  • Resistor 330 ohm

 

Specifications

 

Resistance (Ohms)

330

Power (Watts)

0.25W, 1/4W

Tolerance

±5%

Packaging

Bulk

Composition

Carbon Film

Temperature Coefficient

350ppm/°C

Lead Free Status

Lead Free

RoHS Status

RoHS Compliant


  • LED

A. Spesifikasi :

* Superior weather resistance

* 5mm Round Standard Directivity

* UV Resistant Eproxy

* Forward Current (IF): 30mA

* Forward Voltage (VF): 1.8V to 2.4V

* Reverse Voltage: 5V

* Operating Temperature: -30℃ to +85℃

* Storage Temperature: -40℃ to +100℃

* Luminous Intensity: 20mcd

B. Konfigurasi Pin :  

* Pin 1 : Positive terminal of LED

* Pin 2 : Negative terminal of LED



  • Kapasitor A700D107M006ATE018



A. Spesifikasi 

• ESR: 6mΩ to 70mΩ
• Voltage: 2V to 16V
• Capacitance: 6.8µF to 470µF
• Operating Temperature: -55°C to 125°C
• Polymer cathode technology
• High frequency capacitance retention
• Non-ignition failure mode
• 100% accelerated steady state aging
• 100% surge current tested
• Volumetric efficiency
• Self-healing mechanism
• EIA standard case sizes

 

  • Transistor 2N4123



 

A. Spesifikasi

  • Type - NPN
  • Collector-Emitter Voltage: 30 V
  • Collector-Base Voltage: 40 V
  • Emitter-Base Voltage: 5 V
  • Collector Current: 0.2 A
  • Collector Dissipation - 0.625 W
  • DC Current Gain (hfe) - 50 to 200
  • Transition Frequency - 250 MHz
  • Noise Figure - 6 dB
  • Operating and Storage Junction Temperature Range -55 to +150 °C
  • Package - TO-92
  • Electrically Similar to the Popular MPS4123

B. Konfigurasi Pin
1. Collector
2.  Base
3. Emitter

  • Ground



Ground Berfungsi sebagai untuk meniadakan beda potensial dengan mengalirkan arus sisa dari kebocoran tegangan atau arus pada rangkaian

 

3. Dasar Teori [kembali]

Data spesifikasi (Spesification Sheet) merupakan bagian yang penting dalam elektronika. Setiap komponen elektronika pasti memiliki data spesifikasi yang diberikan oleh manufakturnya dan merupakan penghubung antara produsen dan konsumen yang berisi informasi penting terkait komponen yang akan digunakan.

 

Contoh dari spesification sheet  yang akan digunakan adalah spesifikasi dari transistor dengan model 2N4123, yang merupakan general purpose BJT transistor dengan polaritas npn.VGambar dari transistor tersebut dapat dilihat dibawah ini:

 



Gambar 1 Bentuk Transistor 2N4123

 

data spesifikasi sebuah transistor dibagi menjadi 4 bagian besar yang masing - masing memiliki perannya masing - masing. 4 bagian tersebut antara lain maximum ratings, thermal characteristics, dan electrical characteristics. 

 

1. MAXIMUM CHARACTERISTICS

Meripakan bagian yang menyatakan limit dari input yang dapat diterima oleh transistor, untuk transistor jenis 2N4123 dapat dilihat sebagai berikut:

Gambar 2 Maximum Ratings


2. THERMAL CHARACTERISTICS
Adalah karakteristik dari transistor yang mengatur bagian termalnya, bagian - bagiannya adalah sebagai berikut:

Gambar 3 Thermal Characteristic


3.ELECTRICAL CHARACTERISTICS

 

Untuk karateristik listrik dari transistor (model yang dipakai sebagai contoh dalam blog ini adalah transistor 2N4123) memiliki 2 mode, yakni mode "OFF" dan "ON". Seperti implikasi dari namanya, mode "OFF" menyatakan karakteristik saat transistor "OFF" begitu pula sebaliknya:

A. Mode "OFF"

 

Gambar 4 OFF Characteristic

B. Mode "ON"



Gambar 5 ON Characteristic

4. SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS



  • LIMITS OF OPERATION



Berikut ini adalah kumpulan dari grafik yang terdapat di dalam data sheet transistor tipe 2N4123















 




 


 


 

4. Percobaan [kembali]

    A. prosedur Percobaan

    step 1 : SUSUN dan SIAPKAN KOMPONEN

    step 2 : RANGKAI KOMPONEN

    step 3 : MULAI SIMULASI PADA PROTEUS

    step 4 : AMATI RANGKAIAN YANG DIBUAT

    B. Rangkaian Simulasi

  • Foto Rangkaian
        
Saat belum diaktifkan

Saat diaktifkan

  • Prinsip Kerja
         Saat rangkaian dihidupkan, Arus listrik mengalir hingga mengisi 2 kapasitor. Kapasitor yang terisi penuh duluan, dia yang akan mengeluarkan muatannya pertama kali. Kapasitor 1 mengeluarkan muatannya hinga mengenai basis dalam mengaktifkan transistor 1. Maka transistor 1 dalam keadaan ON, sehingga arus diperbolehkan melewati kolektor ke emittor. Akibatnya LED 1 yang berhubungan dengan transistor 1 ini akan menyala. Sedangkan kapasitor 2 dalam keadaan OFF, karena muatan dalam kapasitor 2 belum bisa dikeluarkan. Sehingga LED 2 tidak menyala. Walau ada muatan yang mengalir dari kolektor ke emittor transistor 2, namun masih belum cukup untuk membuat LED 2 menyala. Ketika kapasitor 1 kehabisan muatan, secara otomatis kapasitor 2 mengeluarkan muatan, sehingga mengaktifkan transistor 2 dan LED 2 menyala. Sedangkan kapasitor 1 masih mengisi muatan, sehingga transistor 1 OFF, mengakibatkan LED 1 juga OFF. Seterusnya diulang lagi
        

5. Video [kembali]



6. Example [kembali]

1. Berdasarkan data yang terdapat pada gambar 2, tentukan kisaran suhu untuk perangkat dalam derajat Fahrenheit ?



Jawab :


2. Berdasarkan data yang terdapat pada gambar 2, Berapakah nilai yang diharapkan dari ICEO  dengan menggunakan rata rata  βDC ?



Jawab :


7. Problem [kembali]

1. Berdasarkan informasi yang terdapat pada gambar 2 terkait  PDmax, VCEmax, ICmax dan VCEsat, Gambarkan grafik dari operasi sistem tersebut

Jawab :


2. Bagaimana rentang  hFE (grafik (j), dalam keadaan normal hFE =100) dibandingkan dengan rentang dari hFE grafik (f)) untuk rentang IC dari 0.1 sampai 10 mA ?

jawab :


8. Pilihan Ganda [kembali]

1. Suatu transistor memiliki VCE = 10 V, dan IC = 20 mA. Berapakah besar disipasi daya dari resistor tersebut?

A. 210 mW                                              

B. 205 mW

C. 200 mW 

D. 220 mW 

E. 230 mW                                           



Jawaban:

Diketahui bahwa nilai VCE sebesar 10 V, dan nilai IC sebesar 20 mA = (0,02 A). Dengan menggunakan rumus daya P = V * I, maka akan kita dapatkan nilai sebagai berikut:



                                            PD = VCE * IC

                                            PD = (10 V)(20 mA)   = 200 mW

Jadi jawaban yang benar untuk soal pertama adalah 200 mW (C)       



2. berapakah Besar power rating dari disipasi daya jika berada di suhu 100oC Jika diketahui diketahui nilai derating factornya adalah sebesar 5 (mW/oC) dan disipasi daya pada suhu referensi (25oC) adalah sebesar 625 mW?

A. 240 mW

B. 250 mW                                     

C. 230 mW

D. 220 mW

E. 210 mW                                                 



Jawaban:

Pertama kita harus mengetahui bahwa temperatur baru ini berada di atas temperatur standar pada suhu 25oC, maka dari itu kita perlu mencari terlebih dahulu nilai perbedaan powernya



100oC - 25oC = 75oC

ΔT = 75oC

Δ disini menyatakan perbedaan nilai antara suhu baru dengan suhu referensi, dan kita mendapat nilai sebesar 75oC. Kemudian kita dapat mencari perbedaan daya tersebut dengan mengalikannya dengan derating factor:

 (5mW/oC) (75oC) = 375 mW

nilai sebesar 375 mW ini disebut perbedaan daya disipasi dengan suhu yang berbeda. Lalu untuk mencari power rating dari transistor diatas saat suhu sebesar 100oC:


PD(max) = 625 mW - 375 mW = 250 mW


Jadi nilai yang power rating dari sebuah transistor saat suhu ambiennya 100oC adalah sebesar 250 mW (B)

 

9. Link Download [kembali]

 

[menuju awal]

Komentar

Posting Komentar

Postingan populer dari blog ini

TUGAS BESAR UP UC

Gambar
TUGAS BESAR UP & UC TEMPAT SAMPAH PINTAR Referensi: Imran, A., & Rasul, M. (2020). Pengembangan Tempat Sampah Pintar Menggunakan Esp32. Jurnal Media Elektrik , 17 (2), 2721–9100. https://ojs.unm.ac.id/mediaelektrik/article/view/14193 Ma’arif, R. A., Fauziah, & Hayati, N. (2019). Sistem Monitoring Tempat Sampah Pintar Secara Real-time Menggunakan Metode Fuzzy Logic Berbasis IOT. Jurnal Infomedia , 4 (2), 69–74. http://e-jurnal.pnl.ac.id/index.php/infomedia/article/view/1571 Fatmawati, K., Sabna, E., & Irawan, Y. (2020). Rancang Bangun Tempat Sampah Pintar Menggunakan Sensor Jarak Berbasis Mikrokontroler Arduino. Riau Journal Of Computer Science , 6 (2), 124–134. Mufti, & Indra. (2016). Rancang Bangun Tempat Sampah Pintar Menimbang Dan Mengenali Jenis Sampah Pada Bank Sampah Budi Luh
Baca selengkapnya

Project Demo M4

Gambar
  [Menuju Akhir] [KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1. Tujuan Perancangan 2. Komponen 3. Dasar Teori 4. Listing Program 5. Flowchart 6. Rangkaian Simulasi 7. Hardware dan Video 8. Analisis 6. Kesimpulan 7. Link Download 1. Tujuan Perancangan [Kembali] Memenuhi syarat untuk Modul 4 Praktikum Mikrokontroller & Mikroprosesor. Untuk mengurangi kemungkinan terjadi perampokan pada brankas
Baca selengkapnya

MODUL 1

Gambar
MODUL 1 GENERAL INPUT DAN OUTPUT [KEMBALI KE MENU SEBELUMNYA] DAFTAR ISI 1.  Pendahuluan 2.  Tujuan 3.  Alat dan Bahan 4.  Dasar Teori 5.  Percobaan Percobaan a. Tugas Pendahuluan 1 b. Tugas Pendahuluan 2 c. Laporan Akhir 1 d. Laporan Akhir 2 *Klik teks untuk menuju 1. Pendahuluan   [Kembali] a) Asistensi dilakukan 3x (Rabu, Kamis, Jumat) b) Praktikum dilakukan 1x (Selasa) 2. Tujuan   [Kembali] a) Memahami cara penggunaan input dan output digital pada mikrokontroler b) Menggunakan komponen input dan output sederhana dengan Arduino 3. Alat dan Bahan   [Kembali] A. Alat      a). Instrument Multimeter      b). Probes Logic Probe     c). Gene
Baca selengkapnya